RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE(T0-254AA)

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been c

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抗辐射 MOSFET

IRHM7260 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术制造，是一款单 N 通道器件，可处理高达 200V 和 35A 的电压和电流。其电气性能高达 100krad(Si) TID，使其成为空间应用的理想选择。通过降低 RDS(on) 和栅极电荷，可以最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。该 COTS 设备采用密封 TO-254AA 封装。

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抗辐射 MOSFET

IRHM7260SESCS R4 N 沟道 MOSFET 专为在空间应用中可靠运行而设计。其 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术和 QIRL 分类可确保高达 100krad(Si) TID 的电气性能。该 MOSFET 的额定电压为 200V，额定电流为 35A，可以处理高电压和高电流。低 RDS(on) 和栅极电荷可提高开关应用的性能，同时保留 MOSFET 的优势。

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