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IRHLNA793064

抗辐射 MOSFET

IRHLNA793064 是一款 R7、抗辐射、-60V、-56A、单 P 通道 MOSFET,采用 SMD-2 封装。其抗辐射设计和高达 300krad(Si) TID 的电气性能使其成为空间应用的可靠选择。该设备非常适合与大多数逻辑门、微控制器和其他以 3.3-5V 电源运行的设备进行连接。它保持了单粒子门破裂和单粒子烧毁免疫力。

Infineon

英飞凌

IRHLNA793064

RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)

文件:206.75 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRHLNA793064SCS

抗辐射 MOSFET

\n优势:;

Infineon

英飞凌

IRHM9150

BGGA

IR

国际整流器

上传:深圳市华来深电子有限公司

IRKC91

module

IR

国际整流器

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

技术参数

  • ID (@100°C) max:

    -56 A

  • ID (@25°C) max:

    -56 A

  • QG:

    130 nC

  • QPL Part Number:

    2N7622U2

  • RDS (on)(@25°C) max:

    17 mΩ

  • TIDmax:

    300 Krad(Si)

  • VBRDSS:

    -60 V

  • VFmax:

    -5 V

  • Product Category:

    Rad hard MOSFETS

  • Optional TID Rating(kRad(si)):

    100 300

  • Package:

    SMD-2

  • Polarity:

    P

  • Generation:

    R7

  • Voltage Class:

    100 V

  • Die Size:

    6

  • Qualification:

    COTS

  • Language:

    SPICE

  • Configuration:

    Discrete

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
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