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IRHLMS77064	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET IR R7 MOSFET 是单 N 通道器件，具有 TO-254AA 低欧姆封装，专为在抗辐射环境中使用而设计。它可以处理 60V 和 45A，同时保持单粒子门破裂和烧毁免疫力。其电气性能高达 100krad(Si) TID 分类，为将 CMOS 和 TTL 控制电路连接到太空和其他辐射环境中的电源设备提供了简单的解决方案。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRHLNA77064	文件：199.18 Kbytes Page：9 Pages	Simple Drive Requirements 文件：199.18 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRHLNA77064	文件：200.07 Kbytes Page：9 Pages	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) 文件：200.07 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRHM9150	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGGA	IR 国际整流器上传：深圳市华来深电子有限公司	IR
IRKC91	文件：0 bytes Page：0 Pages	module	IR 国际整流器上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	IR

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