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IRGP6690D	文件：634.2 Kbytes Page：13 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：634.2 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP6690DPBF	文件：634.2 Kbytes Page：13 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：634.2 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP6690DPBF_15	文件：634.2 Kbytes Page：13 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 文件：634.2 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGP6690D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快Copack IGBT，采用 TO-247 封装 \n• 低 VCE(ON) 和开关损耗\n• 反向偏压安全操作区 (RBSOA) 和最高结温为 175°C\n• 正 VCE(ON) 温度系数\n• 无铅，符合 RoHS\n;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP6690D-EPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 90A TO247AD	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP6690DPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 140A 483W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 6.2
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
90.0A
IC(@25°) max：
140.0A
ICpuls max：
225.0A
Ptot max：
483.0W
VCE(sat) ：
1.65V
Eon ：
2.4mJ
Eoff(Hard Switching) ：
2.2mJ
td(on) ：
85.0ns
tr ：
86.0ns
td(off) ：
222.0ns
tf ：
53.0ns
QGate ：
140.0nC
IF max：
300.0A
VF ：
2.3V
Irrm ：
26.0A
Ets ：
5.9mJ
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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