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IRGP4263

650V Low VCEon Trench IGBT in a TO-247 AC package.

Infineon

英飞凌

IRGP4263D-EPbF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:929.42 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRGP4263DPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件:929.42 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

IRGP4263-EPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件:870.18 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP4263PBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件:903.96 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP4263PBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件:870.18 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP4263PBF_15

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件:903.96 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRGP4263DPBF

IGBT 650V 90A 325W TO-247

Infineon

英飞凌

IRGP4263-EPBF

Insulated Gate Bipolar Transistor

Infineon

英飞凌

IRGP4263D1PBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V TO247 COPAK

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 6.2

  • Switching Frequency min max:

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package :

    TO-247

  • Voltage Class max:

    650.0V

  • IC(@100°) max:

    60.0A

  • IC(@25°) max:

    90.0A

  • ICpuls max:

    192.0A

  • Ptot max:

    300.0W

  • VCE(sat) :

    1.7V 

  • Eon :

    1.7mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    1.0mJ 

  • td(on) :

    70.0ns 

  • tr :

    60.0ns 

  • td(off) :

    140.0ns 

  • tf :

    30.0ns 

  • QGate :

    140.0nC 

  • Ets  (max):

    2.7mJ (4.5mJ)

  • Switching Frequency :

    Gen 6.2 8-30 kHz

  • VCE max:

    650.0V

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IR
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TO-247
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TO-247
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TO-247
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TO-247
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普通
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Infineon
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更多IRGP4263供应商 更新时间2025-11-6 14:02:00