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|---|---|---|---|---|
IRG7PSH73K10 | IGBT DESCRIPTION · Low Switching Losses · Low VCE (ON) · Ultra Low Leakage Current APPLICATIONS · Industrial Power Supplies · Industrial Drives · Solar Inverters 文件：289.3 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRG7PSH73K10 | 1200V Trench IGBT in a Super247 package | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 10 μS short Circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits 文件：393.89 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：393.89 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：393.89 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Package：TO-274AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH 1200V 220A SUPER247 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Technology ：
IGBT Gen 7
- Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
- Package ：
Super-247 (TO-274)
- Voltage Class max：
1200.0V
- IC(@100°) max：
130.0A
- IC(@25°) max：
220.0A
- ICpuls max：
225.0A
- Ptot max：
1150.0W
- VCE(sat) ：
2.0V
- Eon ：
11.0mJ
- Eoff(Hard Switching) ：
7.4mJ
- td(on) ：
63.0ns
- tr ：
118.0ns
- td(off) ：
267.0ns
- tf ：
114.0ns
- Ets (max)：
12.3mJ (14.3mJ)
- Switching Frequency ：
Gen 7 8-30 kHz
- VCE max：
1200.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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TO-247 |
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