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IRG7PSH73K10 | IGBT DESCRIPTION ·LowSwitchingLosses ·LowVCE(ON) ·UltraLowLeakageCurrent APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
IRG7PSH73K10 | 1200V Trench IGBT in a Super247 package; | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •LowVCE(ON)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctionTemperature175°C •10μSshortCircuitSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient •TightParameterDistribution •LeadFreePackage Benefits | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | IRF International Rectifier | IRF | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR | IRF International Rectifier | IRF | ||
Package：TO-274AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH 1200V 220A SUPER247 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
技术参数
- Technology ：
IGBT Gen 7
- Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
- Package ：
Super-247 (TO-274)
- Voltage Class max：
1200.0V
- IC(@100°) max：
130.0A
- IC(@25°) max：
220.0A
- ICpuls max：
225.0A
- Ptot max：
1150.0W
- VCE(sat) ：
2.0V
- Eon ：
11.0mJ
- Eoff(Hard Switching) ：
7.4mJ
- td(on) ：
63.0ns
- tr ：
118.0ns
- td(off) ：
267.0ns
- tf ：
114.0ns
- Ets (max)：
12.3mJ (14.3mJ)
- Switching Frequency ：
Gen 7 8-30 kHz
- VCE max：
1200.0V
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