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IRLM120ATF	文件：242.09 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLR/U120NPBF	文件：299.66 Kbytes Page：11 Pages	SurfaceMount(IRLR120N) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120	文件：181.33 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingt	IRF International Rectifier	IRF
IRLR120	文件：613.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR120	文件：1.27492 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR120	文件：332.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR120	文件：1.06578 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRLR120,SiHLR120) •Straightlead(IRLU120,SiHLU120) •AvailableintapeandreMel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR120A	文件：373.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR120ATF	文件：228.49 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedpowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLR120ATF	文件：1.60184 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip

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详细参数

型号：
IRFY120C
功能描述：
N-Channel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFY120M	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFY120M	IR	23+		8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRFY120M	IR	23+		7000		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFY130	IR	23+	TO-257A	1000	原装正品,假一罚十	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	IRFY130	IR	24+	SMD	1680	IR专营品牌进口原装现货假一赔十	询价
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深圳市昊创电子有限公司	IRFY130	IR	专业铁帽	TO257	4	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
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深圳市纳艾斯科技有限公司	IRFY130	IR	24+	TO-257	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多IRFY120C供应商更新时间2025-5-21 14:00:00

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