采用 I-PAK 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 行业标准通孔封装\n• 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化;

Infineon

英飞凌

丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：247.17 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

HEXFET® Power MOSFET

• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness\r\n• Fully characterized capacitance and avalanche SOA\r\n• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability\r\n• Lead-free, RoHS compliant;

Infineon

英飞凌

High-Speed, Robust-EMC Reinforced Quad-Channel Digital Isolators

文件：1.15378 Mbytes 页数：43 Pages

TI

德州仪器

High-Speed, Robust-EMC Reinforced Quad-Channel Digital Isolators

文件：1.16555 Mbytes 页数：42 Pages

TI

德州仪器

High-Speed, Robust-EMC Reinforced Quad-Channel Digital Isolators

文件：1.15075 Mbytes 页数：41 Pages

TI

德州仪器