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IRFU310PBF	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：3.93309 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU310PBF	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation power MOSFETs form Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：1.41713 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFU310A	文件：346.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：346.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU310B	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：346.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU310PBF	文件：1.80909 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=3.6廓 , ID=1.7A ) 文件：1.80909 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU310PBF	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：835 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
IRFU310A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFU310B	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
IRFU310
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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