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深圳市振宏微科技有限公司

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IRTO-262

10000

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专做原装正品,假一罚百!

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IRTO-262

10000

24+

只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

深圳市一线半导体有限公司

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IRTO-262

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IR原厂原装

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只做全新原装真实现货供应

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市华来深电子有限公司

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IRTO-262-3

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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

艾睿(深圳)半导体有限公司

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IRTO-262

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2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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天津市博通航睿技术有限公司

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Infineon Technologies原装

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深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONTO-262

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就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRTO-262

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深圳市亿智腾科技有限公司

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Infineon Technologies原装

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原装正品,提供BOM配单服务

深圳市威尔健半导体有限公司

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SKTO-3P

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深圳市勤思达科技有限公司

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IRTO-262

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全新原装,现货库存长期供应

深圳市科雨电子有限公司

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INFINEONTO-262

3000

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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IRNA/

4090

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深圳市华斯顿科技有限公司

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IRTO-262

26992

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市一线半导体有限公司

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IRTO-262-3

390

24+

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay SiliconixTO2623 Long Leads I2Pak TO262A

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原厂渠道,现货配单

深圳市华来深电子有限公司

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IRTO-262

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IRFSL31N20D功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFSL31N20DPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 31A, 82 MOHM, 70 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D

IRFSL31N20DTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRFSL31N20DTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件