选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
留言
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IRTO-262 |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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10年
留言
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IRTO-262 |
10000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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17年
留言
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IRTO-262 |
8866 |
24+ |
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16年
留言
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IR原厂原装 |
7351 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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4年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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13年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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5年
留言
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IRTO-262 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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2年
留言
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Infineon Technologies原装 |
7000 |
23+ |
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6年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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4年
留言
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IRTO-262 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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5年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
24+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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5年
留言
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SKTO-3P |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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12年
留言
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IRTO-262 |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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6年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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7年
留言
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IRNA/ |
4090 |
24+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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15年
留言
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IRTO-262 |
26992 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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17年
留言
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IRTO-262-3 |
390 |
24+ |
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4年
留言
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Vishay SiliconixTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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13年
留言
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IRTO-262 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
IRFSL31N20D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFSL31N20D图片
IRFSL31N20DPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFSL31N20D功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL31N20DPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 31A, 82 MOHM, 70 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFSL31N20DTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL31N20DTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件