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IRFS7530	文件：244.47 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS7530	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Silicon optimized for applications switching below <100KHz\n• Softer body-diode compared to previous silicon g;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS7530-7PPBF	文件：562.77 Kbytes Page：11 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：562.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS7530-7PPBF_15	文件：562.77 Kbytes Page：11 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：562.77 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS7530PbF	文件：661.3 Kbytes Page：13 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：661.3 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFS7530PBF	文件：661.3 Kbytes Page：13 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：661.3 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFS7530PBF_15	文件：661.3 Kbytes Page：13 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：661.3 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRFS7530-7P	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 7 引脚 D2-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性\n• 具备完全特性化的电容和雪崩安全工作区（ SOA）\n• 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFS7530TRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
2 mΩ
ID @25°C max：
295 A
QG typ @10V：
274 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.7 V
VGS(th)：
2.9 V
Technology：
StrongIRFET™

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