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IRFS5615	文件：188.32 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：188.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS5615	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的数字音频 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n•符合 RoHS\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS5615PBF	文件：351.41 Kbytes Page：9 Pages	Key Parameters Optimized for Class-D Audio 文件：351.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS5615PBF	文件：351.41 Kbytes Page：9 Pages	Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications 文件：351.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS5615PBF_15	文件：351.41 Kbytes Page：9 Pages	Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications 文件：351.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
150.0V
RDS (on)(@10V) max：
42.0mΩ
RDS (on) max：
42.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
24.0A
ID (@ TC=100°C) max：
24.0A
ID (@ TC=25°C) max：
33.0A
Ptot max：
144.0W
QG ：
26.0nC
Mounting ：
SMD
Qgd ：
9.0nC
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJC max：
1.045K/W

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更多IRFS5615供应商更新时间2025-10-13 15:14:00

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