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IRFS4620	文件：188.66 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS4620PBF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4620PBF	文件：365.31 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4620PBF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4620PBF_15	文件：365.31 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFS4620TRLPBF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4620	文件：302.45 Kbytes Page：3 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4620PbF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4620PBF	文件：365.32 Kbytes Page：10 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFU4620	文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU4620PBF	文件：389.89 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGB4620DPBF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGIB4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRGP4620D-EPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGP4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRGS4620DPBF	文件：714.86 Kbytes Page：14 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficientandtight distributionofparameters 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofa	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPBF	文件：893.03 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRGS4620DPbF	文件：971.84 Kbytes Page：17 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andswitchinglosses SquareRBSOAandmaximumjunctiontemperature175°C PositiveVCE(ON)temperaturecoefficient 5µsShortCircuitSOA Lead-Free,RoHSCompliant Benefits Highefficiencyinawiderangeofapplicationsandswitching frequencies	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
IRFS4620
功能描述：
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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