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IRFS4010	文件：244.37 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS4010	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2-Pak 封装的 100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 认证\n• 行业标准表面贴装封装\n• 高额定电流;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFS4010-7PPBF	文件：318.79 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：318.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS4010-7PPBF	文件：318.79 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：318.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS4010-7PPBF	文件：318.79 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：318.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS4010-7PPBF_15	文件：318.79 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：318.79 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFS4010PBF	文件：301.01 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：301.01 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4010PBF	文件：301.01 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：301.01 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4010PBF	文件：368.8 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：368.8 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFS4010PBF_15	文件：301.01 Kbytes Page：10 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：301.01 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptotmax：
375 W
Qgd：
50 nC
QG(typ @10V)：
143 nC
RDS (on)(@10V) max：
4.7 mΩ
RthJCmax：
0.4 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
100 V
VGS(th)：
3 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
SMD
Package：
D2PAK (TO-263)
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
1.14

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更多IRFS4010供应商更新时间2025-10-13 17:06:00

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