选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO252 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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2160 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
7906200 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
10000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市伟胜微电子有限公司5年
留言
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IRTO252 |
999999 |
18+ |
进口全新原装现货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILD原厂原装 |
5608 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCHILD |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixD-Pak |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixD-Pak |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixTO-252AA |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IORTO252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IORPLCC |
18000 |
23+ |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IRTO252 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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VISHAYTO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
9888 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
1980 |
21+ |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
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IRFR9120T图片
IRFR9120TRPBF价格
IRFR9120TRPBF价格:¥2.4886品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR9120TRPBF多少钱,想知道IRFR9120TRPBF价格是多少?参考价:¥2.4886。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFR9120TRPBF批发价格及采购报价,IRFR9120TRPBF销售排行榜及行情走势,IRFR9120TRPBF报价。
IRFR9120TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9120T_R4941功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TR功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRL功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9120TRR功能描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9120TRRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube