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IRFR812	文件：335.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR812	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 500V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR812PBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	ZERO VOLTAGE SWITCHING SMPS 文件：228.8 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFR812PBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：228.8 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFR812PBF_15	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	ZERO VOLTAGE SWITCHING SMPS 文件：228.8 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFR812TRPBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：228.8 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFR812TRPBF	文件：228.8 Kbytes Page：9 Pages	ZERO VOLTAGE SWITCHING SMPS 文件：228.8 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
500.0V
RDS (on) max：
2200.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
2200.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
2.3A
ID max：
2.3A
ID (@ TC=25°C) max：
3.6A
Ptot max：
78.0W
QG ：
13.3nC
RthJC max：
1.6K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
4.8nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V

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