| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRFR4620 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.17 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRFR4620 | 采用 D-Pak 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 200V, ID= 24 A RDS(ON) 文件：966.87 Kbytes 页数：6 Pages | BYCHIP 百域芯 | BYCHIP | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：389.89 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：389.89 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
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N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：1.11548 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- OPN：
IRFR4620TRLPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
DPAK
- VDS max：
200 V
- RDS (on) @10V max：
78 mΩ
- ID @25°C max：
24 A
- QG typ @10V：
25 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
3 V
- VGS(th) max：
5 V
- VGS(th)：
4 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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更新时间2026-1-18 14:01:00
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