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IRFR4615	文件：334.66 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR4615	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 通道 IR MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFR4615PBF	文件：352.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 42mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：352.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR4615TRPBF	文件：741.23 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 150V, ID= 40 A RDS(ON) 文件：741.23 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRFR4615PBF	文件：304.9 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：304.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4615PBF	文件：304.9 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：304.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4615PBF	文件：396.11 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：396.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4615PBF_15	文件：304.9 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：304.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4615TRLPBF	文件：304.9 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：304.9 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR4615TRPBF	文件：396.11 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：396.11 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFR4615TRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
150 V
RDS (on) @10V max：
42 mΩ
ID @25°C max：
33 A
QG typ @10V：
26 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRFR4615供应商更新时间2025-12-14 13:00:00

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