| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
10000 |
19+ |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
8000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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6年
留言
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Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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11年
留言
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IRTO-252 |
4018 |
26+ |
只做原装假一赔十 |
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1年
留言
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IRTO-252 |
251 |
1005+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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8年
留言
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IRTO-252 |
9800 |
24+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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IRTO252 |
58550 |
20+21+ |
金睿扬电子,只做全新原装正品可订货欢迎咨询QQ微信 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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13年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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INFINEON/IRTO252 |
33500 |
26+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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8年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)DPAK |
17316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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5年
留言
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IBFINEONTO-252-3 |
5000 |
2320+ |
只做原装,特价清货! |
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7年
留言
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IR23+ |
6000 |
26+ |
专业配单原装正品假一罚十 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
577 |
17+ |
原装现货 |
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5年
留言
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INFINEON/IR |
2000 |
20+ |
PG-TO252-3 (DPAK) |
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5年
留言
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IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
IRFR410采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR410图片
IRFR4105PBF价格
IRFR4105PBF价格：￥1.1307品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFR4105PBF多少钱，想知道IRFR4105PBF价格是多少？参考价：￥1.1307。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR4105PBF批发价格及采购报价，IRFR4105PBF销售排行榜及行情走势，IRFR4105PBF报价。
IRFR4105Z资讯
IRFR4105Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR410制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFR4104制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
IRFR4104PBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR4104TR功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR4104TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 119A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRFR4104TRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR4104TRLPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR4104TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR4104TRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR4104TRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 119A 3PIN DPAK - Tape and Reel
