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IRFR3504Z	文件：299.74 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 42A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.74 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR3504Z	文件：208.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：208.21 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR3504Z	文件：4.177189 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：4.177189 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3504Z	文件：344.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：344.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR3504ZPBF	文件：4.2532 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：4.2532 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3504ZPBF	文件：268.91 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：268.91 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR3504ZPBF	文件：4.24099 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：4.24099 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3504ZTRR	文件：4.98423 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：4.98423 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR3504Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFR3504ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
9 mΩ
ID @25°C max：
77 A
QG typ @10V：
30 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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