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IRFR3504Z | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
IRFR3504Z | AUTOMOTIVE MOSFET | IRF International Rectifier | IRF | |
IRFR3504Z | AUTOMOTIVE MOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | |
IRFR3504Z | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
AUTOMOTIVE MOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
Advanced Process Technology | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
AUTOMOTIVE MOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
AUTOMOTIVE GRADE | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI |
详细参数
- 型号：
IRFR3504Z
- 功能描述：
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-252 |
500926 |
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TO-252 |
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