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IRFR3411

HEXFET Power MOSFET

文件:226.53 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFR3411

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR3411

HEXFET Power MOSFET

文件:3.66041 Mbytes 页数:10 Pages

KERSEMI

IRFR3411

采用 D-Pak 封装的 100V 单 N 通道功率 MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

IRFR3411PBF

Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

文件:3.8381 Mbytes 页数:10 Pages

KERSEMI

IRFR3411PBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:1.02262 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR3411PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:3.66041 Mbytes 页数:10 Pages

KERSEMI

IRFR3411PBF

 Advanced Process Technology

文件:293.16 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFR3411PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:226.53 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRFR3411PBF

Advanced Process Technology

文件:293.16 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

技术参数

  • OPN:

    IRFR3411TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    DPAK

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    44 mΩ

  • ID @25°C max:

    32 A

  • QG typ @10V:

    48 nC

  • Special Features:

    Wide SOA

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • VGS(th):

    3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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IR
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更多IRFR3411供应商 更新时间2025-12-9 16:21:00