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IRFR2607Z	文件：4.33814 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2607Z	文件：4.26948 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR2607Z	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFR2607Z
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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