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IRFR15N20D

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采用 D-Pak 封装的 200V 单 N 通道 IR MOSFET

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRFR15N20DTRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    DPAK

  • VDS max：

    200 V

  • RDS (on) @10V max：

    165 mΩ

  • ID @25°C max：

    17 A

  • QG typ @10V：

    27 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    3 V

  • VGS(th) max：

    5.5 V

  • VGS(th)：

    4.25 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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