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IRG4PC50F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50F	文件：146.41 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystandard	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PC50FD	文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.6V@IC=39A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·LowConductionLoss APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PC50FD	文件：211.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A) VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa	IRF International Rectifier	IRF
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