| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
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VISHAYTO-247 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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IRTO-247 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-247 |
6000 |
26+ |
只做原装假一赔十 |
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13年
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IRTO-247 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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IRTO-247 |
49300 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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16年
留言
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VISHAYTO-247 |
65400 |
23+ |
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8年
留言
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VISHAYTO-247 |
1500 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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4年
留言
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IRTO-247 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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15年
留言
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VISHAYTO-247 |
15000 |
24+ |
全新原装的现货 |
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8年
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IRTO-247 |
20000 |
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全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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12年
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IRTO-247 |
9485 |
2450+ |
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8年
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IRTO-247 |
40 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
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IRSOP/DIP |
19889 |
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一级代理原装现货,特价热卖! |
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12年
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INTERNATINA |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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13年
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IRTO-247 |
9850 |
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只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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19年
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IR |
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IRTO-3P |
890000 |
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一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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6年
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INTERNATIONALRECTIFIERNA |
880000 |
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IRFPC50图片
IRFPC50APBF价格
IRFPC50APBF价格:¥10.2735品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRFPC50APBF多少钱,想知道IRFPC50APBF价格是多少?参考价:¥10.2735。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFPC50APBF批发价格及采购报价,IRFPC50APBF销售排行榜及行情走势,IRFPC50APBF报价。
IRFPC50中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFPC50功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50A功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50APBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50LC功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50LCPBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFPC50PBF功能描述:MOSFET N-Chan 600V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube




























