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IRFP450R	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450	文件：687.65 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS450	文件：265.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450	文件：343.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450	文件：343.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450A	文件：232.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET(500V,0.4ohm,9.6A) FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):0.308Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS450A	文件：64.64 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS450B	文件：687.65 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW450	文件：95.17 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRGP450U	文件：260.47 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=33A) Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFP450R
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRFP450R	INTERNATIONA	05+	原厂原装	8206	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRFP450S	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	IRFP450Z	IR	23+	TO-247	3000	全新原装	询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRFP450Z	IR	24+	TO-247	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRFP450Z	IR	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRFP450Z	IR	21+	TO-247	10000	原装现货假一罚十	询价

更多IRFP450R供应商更新时间2025-7-24 17:05:00

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