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IRFY440C	文件：189.4 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY440CM	文件：300.25 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=7.0A) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY440CM	文件：189.4 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRFY440M	文件：135.77 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) POWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-257AA) HEXFET®MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-e	IRF International Rectifier	IRF
IRGB440U	文件：252.36 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=22A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof	IRF International Rectifier	IRF
IRGB440U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRGP440U	文件：254.96 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=500V,@Vge=15V,Ic=22A) Introduction Thereliabilityreportisasummaryofthetestdatacollatedsincetheimplementationofthereliabilityprogramme.Thisreportwillbeperiodicallyupdatedtypicallyonaquarterlybasis.Futurepublicationsofthisreportwillalsoincludeasappropriateadditionalinformationto	IRF International Rectifier	IRF
IRGP440U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IS440	文件：135.88 Kbytes Page：4 Pages	OPICLIGHTDETECTORWITHBUILTINSIGNALPROCESS-INGCURCUITFORLIGHTMODULATIONSYSTEM	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
IS440F	文件：135.88 Kbytes Page：4 Pages	OPICLIGHTDETECTORWITHBUILTINSIGNALPROCESS-INGCURCUITFORLIGHTMODULATIONSYSTEM	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

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详细参数

型号：
IRFP440R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-247

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