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IRFP4110	文件：733.3 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=100V,ID=180A,RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFP4110	文件：335.25 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP4110	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-247AC 封装; \n优势:\n• 符合 RoHS\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFP4110PBF	文件：288.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS100V RDS(on)typ.3.7mΩ max.4.5mΩ ID(SiliconLimited)180A ID(PackageLimited)120A Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Aplications	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4110PBF	文件：294.22 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFP4110PBF_15	文件：294.22 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF

更多IRFP4110供应商更新时间2025-7-27 13:00:00