IRFIBC30G中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IRFIBC30G规格书详情
• DESCRITION
• Switching Voltage Regulators
• FEATURES
• Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =2.2Ω (MAX)
• Enhancement mode: Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IRFIBC30G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
13133 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
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25+ |
TO-220F |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
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IR |
02+05+ |
TO-220F |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
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询价 | |||
IR |
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TO220 |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
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TO-220F |
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IR |
22+ |
TO220F |
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IR |
25+ |
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询价 |
