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IRFIBC30G规格书详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance
• Lead (Pb)-free Available
产品属性
- 型号：
IRFIBC30G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO220 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2203 Isolated Tab |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220F |
54648 |
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询价 | ||
IR |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
05+ |
TO-220 |
4000 |
自己公司全新库存绝对有货 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
TO220 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
2759 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
TO220 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 |
