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KF7N50P	文件：1.21941 Mbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforelectronicballastandswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=7A	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MDF7N50	文件：746.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDP7N50	文件：741.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDP7N50BTH	文件：1.18111 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,7.0A,0.9(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N50BTH	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRFIB7N50LPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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