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MDF7N50BTH	文件：322.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDF7N50BTH	文件：1.18111 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9(ohm) 文件：1.18111 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N50BTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDF7N50TH	文件：746.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9(ohm) 文件：746.96 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N50TH	文件：322.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP7N50	文件：741.97 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9(ohm) 文件：741.97 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP

更多MDF7N50BTH供应商更新时间2022-6-12 10:12:00