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IRFIB7N50A数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRFIB7N50A

功能描述

HEXFET® Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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IRFIB7N50A规格书详情

描述 Description

VDSS 500V
Rds(on) max 0.52Ω
ID 6.6ABenefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
● Effective Coss specified ( See AN 1001)

应用 Application

● Switch Mode Power Supply ( SMPS )
● Uninterruptable Power Supply
● High speed power switching
● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS‡

技术参数

  • 型号:

    IRFIB7N50A

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
20+
TO-220F
38900
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