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IRFIB7N50A规格书详情
描述 Description
VDSS 500V
Rds(on) max 0.52Ω
ID 6.6ABenefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
● Effective Coss specified ( See AN 1001)
应用 Application
● Switch Mode Power Supply ( SMPS )
● Uninterruptable Power Supply
● High speed power switching
● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
技术参数
- 型号：
IRFIB7N50A
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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