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IRFIB6N60A中文资料HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号:
IRFIB6N60A
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-220F |
5000 |
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IR |
12+ |
TO-220 |
2500 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
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VISHAY/威世 |
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TO-220FP |
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IR |
23+ |
TO-220F |
10000 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220FP |
50000 |
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IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
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IR |
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Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
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IR |
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TO-220 |
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