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IRFIB6N60A中文资料HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 5.5 A数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFIB6N60A
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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VISHAY/威世 |
1821+ |
TO-220FP |
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VISHAY |
24+/25+ |
TO-220FP |
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VISHAY |
23+ |
TO-220FP |
50000 |
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IR |
12+ |
TO-220 |
2500 |
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IR |
23+ |
TO-220F |
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IR |
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VISHAY/威世 |
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IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
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