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IRFIB7N50A

Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=6.6A)

VDSS500V Rds(on)max0.52Ω ID6.6A Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●Switch

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50A

Uninterruptible Power Supply

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIB7N50A

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IRFIB7N50A

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

IRFIB7N50A

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIB7N50APBF

SMPS MOSFET

VDSS500V Rds(on)max0.52Ω ID6.6A Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●Switch

IRF

International Rectifier

IRFIB7N50A_V01

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

IRFIB7N50APBF

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFIB7N50A

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRFIB7N50A供应商 更新时间2025-6-19 9:05:00