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IRFI4212H-117P中文资料100V 双个 N 通道数字化音频HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso)封装数据手册Infineon规格书
IRFI4212H-117P规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 N 通道 MOSFET
• 集成半桥封装
• 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
• 低Qrr，可提高THD效率并改善效率
• 低Qg和Qsw，可提高THD效率并改善效率
应用 Application
• D 类音频
技术参数
- 制造商编号
：IRFI4212H-117P
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRFI4212H-117P
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：FULLPAK220
- VDS max
：100 V
- RDS (on) @10V max
：72.5 mΩ
- ID @25°C max
：11 A
- QG typ @10V
：12 nC
- Polarity
：N+N/N+N
- VGS(th) min
：3 V
- VGS(th) max
：5 V
- VGS(th)
：4 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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