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IRFI3306G	文件：260.24 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFI3306GPBF	文件：672.91 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：672.91 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRFI3306GPBF	文件：662.4 Kbytes Page：9 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：662.4 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFI3306G	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 Full-Pak 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性\n• 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区（ SOA）\n• 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力\n• 无铅\n• 无卤素\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
TO-220-3 FP
VDS max：
60.0V
RDS (on)(@10V) max：
4.2mΩ
RDS (on) max：
4.2mΩ
Polarity ：
N
ID max：
50.0A
ID (@ TC=100°C) max：
50.0A
ID (@ TC=25°C) max：
71.0A
Ptot max：
46.0W
QG ：
90.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
3.23K/W
VGS max：
20.0V
Qgd ：
26.0nC
Tj max：
175.0°C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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