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IRFHS8342	文件：268.37 Kbytes Page：2 Pages	Small PowIR MOSFETs 文件：268.37 Kbytes 页数：2 Pages	IRF	IRF
IRFHS8342	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 2x2 封装 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 行业标准表面贴装电源\n• 小尺寸;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFHS8342TRPBF-TP	文件：2.5406 Mbytes Page：4 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Application » DC — DC Buck Converters » Load switch « Power management « Motor Control Portable Power Adaptors 文件：2.5406 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFHS8342PBF	文件：236.97 Kbytes Page：9 Pages	丝印：8342；Package：QFN-62x2；Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：236.97 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHS8342PBF	文件：263.34 Kbytes Page：9 Pages	丝印：8342；Package：QFN-62x2；HEXFET Power MOSFET 文件：263.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHS8342PBF_15	文件：236.97 Kbytes Page：9 Pages	Compatible with Existing Surface Mount Techniques 文件：236.97 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHS8342TR2PBF	文件：263.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：263.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFHS8342TRPBF	文件：263.34 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：263.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Ptot(@ TA=25°C) max：
2.1 W
Qgd：
1.3 nC
QG(typ @4.5V)：
4.2 nC
RDS (on)(@4.5V) max：
25 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
16 mΩ
RthJCmax：
13 K/W
Tjmax：
150 °C
VDSmax：
30 V
VGS(th)：
1.8 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
SMD
Package：
PQFN 2 x 2 (DFN2020)
Operating Temperature：
-55 °C to 150 °C
Polarity：
N
Moisture Sensitivity Level：
1
Budgetary Price €/1k：
0.13

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