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LED830	文件：1.02448 Mbytes Page：9 Pages	BlueLEDLamp	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LS830	文件：30.37 Kbytes Page：2 Pages	ULTRALOWLEAKAGELOWDRIFTMONOLITHICDUALN-CHANNELJFET FEATURES ULTRALOWDRIFT│ΔVGS1-2/ΔT│=5µV/ºCmax. ULTRALOWNOISEIG=80fATYP. LOWNOISEen=70nV/√HzTYP. LOWCAPACITANCECISS=3pfmax.	LINEAR Linear Integrated Systems	LINEAR
LS830	文件：284.02 Kbytes Page：1 Pages	LinearSystemsUltraLowLeakageLowDriftMonolithicDualJFET TheLS830isahigh-performancemonolithicdualJFETfeaturingextremelylownoise,tightoffsetvoltageandlowdriftovertemperaturespecifications,andistargetedforuseinawiderangeofprecisioninstrumentationapplications.TheLS830featuresa5-mVoffsetand10-µV/°Cdrift.The8Pin	MICROSS Micross Components	MICROSS
LS830_PDIP	文件：284.02 Kbytes Page：1 Pages	LinearSystemsUltraLowLeakageLowDriftMonolithicDualJFET TheLS830isahigh-performancemonolithicdualJFETfeaturingextremelylownoise,tightoffsetvoltageandlowdriftovertemperaturespecifications,andistargetedforuseinawiderangeofprecisioninstrumentationapplications.TheLS830featuresa5-mVoffsetand10-µV/°Cdrift.The8Pin	MICROSS Micross Components	MICROSS
LT830	文件：103.92 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT830isa1-FormAsolidstaterelayinan6pinDIPpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputside. Fe	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX

详细参数

型号：
IRFHM830D
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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