LS830分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
LS830 |
| 参数属性 | LS830 封装/外壳为TO-78-6 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO |
| 功能描述 | Linear Systems Ultra Low Leakage Low Drift Monolithic Dual JFET |
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 文件大小 |
284.02 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | MICROSS |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-30 14:01:00 |
| 人工找货 | LS830价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LS830规格书详情
The LS830 is a high-performance monolithic dual JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage and low drift over temperature specifications, and is targeted for use in a wide range of precision instrumentation applications. The LS830 features a 5-mV offset and 10-µV/°C drift. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation.
FEATURES
ULTRA LOW DRIFT | V GS1‐2 / T| ≤ 5µV/°C TYP.
ULTRA LOW LEAKGE IG = 80fA TYP.
LOW NOISE en = 70nV/√Hz TYP.
LOW CAPACITANCE CISS = 3pF MAX
LS830 Applications:
◾ Wideband Differential Amps
◾ High-Speed,Temp-Compensated SingleEnded Input Amps
◾ High-Speed Comparators
◾ Impedance Converters and vibrations detectors.
产品属性
- 产品编号：
LS830 TO-78 6L
- 制造商：
Linear Integrated Systems, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 系列：
LS830
- 包装：
散装
- FET 类型：
2 个 N 沟道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
3pF @ 10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-78-6
- 描述：
ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
CAN6 |
60000 |
询价 | |||
ADI(亚德诺) |
25+ |
TO-78-6 |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
ADI(亚德诺) |
25+ |
TO-78-6 |
18798 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
LSI/CSI |
23+ |
SOIC |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
VISHAY/威世 |
23+ |
CAN6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PANASONI |
23+ |
3880 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
Linear Integrated Systems Inc |
25+ |
TO-71-6 金属罐 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
