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IRFS830	文件：270.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS830	文件：319.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS830A	文件：258.6 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS830A	文件：265 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS830B	文件：888.87 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW830B	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL830S	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRL830T	文件：40.43 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IVURDM-QD-830	文件：372.9 Kbytes Page：3 Pages	iVuMachine-MountableRemoteDisplay	BANNERBanner Engineering Corp. 邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司	BANNER
IVURDM-QD-830RA	文件：372.9 Kbytes Page：3 Pages	iVuMachine-MountableRemoteDisplay	BANNERBanner Engineering Corp. 邦纳电子邦纳电子（苏州）有限公司	BANNER

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详细参数

型号：
IRFHM830D
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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