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IRFL9110	文件：357.61 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerationpower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110PBF	文件：223.19 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=-100V,RDS(on)=1.2廓,ID=-1.1A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesold	IRF International Rectifier	IRF
IRFL9110PBF	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110TR	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.04318 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFL9110TRPBFA	文件：357.61 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9110	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-3.1A) DESCRIPTION ThirdGnerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9110	文件：62.52 Kbytes Page：7 Pages	3.1A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR9110	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRFF9110
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 100V 2.5A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET, -100V, 2.5A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-2.5A; Drain Source Voltage
Vds：
-100V; On Resistance
Rds(on)：
1.2ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No

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