IRFD9113中文资料-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs数据手册Renesas规格书
技术参数
- 型号:
IRFD9113
- 功能描述:
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR-VISHAY |
25+ |
DIP4 |
19357 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
HEXDIP |
19889 |
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IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
询价 | |||
IR |
23+ |
DIP-4 |
7000 |
询价 | |||
Vishay Siliconix |
23+ |
4DIP |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
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DIP-4P |
26800 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
HD-1 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
DIP4 |
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询价 |