IRFD9020中文资料HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRFD9020
- 功能描述：
MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4499 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
01+ |
DIP-4 |
2888 |
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VISHAY/威世通 |
20+ |
na |
65790 |
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IR |
24+/25+ |
250 |
原装正品现货库存价优 |
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VISHAY |
23+ |
HVMDIP-4 (HEXDIP-4) |
50000 |
原装正品 支持实单 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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IR |
23+ |
DIP-4 |
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IR |
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IR |
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IR |
01+ |
DIP-4 |
4503 |
询价 |
