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IRFBC20S中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRFBC20S

功能描述

Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

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更新时间

2025-10-1 14:31:00

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IRFBC20S规格书详情

特性 Features

Surface-mount (IRFBC20S, SiHFBC20S)
Low-profile through-hole (IRFBC20L, SiHFBC20L)
Available in tape and reel (IRFBC20, SiiHFBC20S)

技术参数

  • 型号:

    IRFBC20S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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