IRFBC20中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRFBC20规格书详情
特性 Features
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
技术参数
- 型号:
IRFBC20
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR |
1923+ |
TO-220 |
6896 |
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VISHAY |
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TO220 |
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Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
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IR |
24+ |
TO220 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
22+ |
D2-PAK |
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IR |
24+ |
TO-220AB |
27500 |
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IR |
05+ |
TO-220 |
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