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IRFB7440	文件：338.67 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB7440	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Silicon optimized for applications switching below <100KHz\n• Softer body-diode compared to previous silicon g;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB7440G	文件：928.03 Kbytes Page：8 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：928.03 Kbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFB7440GPBF	文件：928.03 Kbytes Page：8 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：928.03 Kbytes 页数：8 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFB7440GPBF	文件：263.41 Kbytes Page：10 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：263.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFB7440PBF	文件：270.81 Kbytes Page：10 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：270.81 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFB7440PBF	文件：258.85 Kbytes Page：10 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：258.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFB7440PBF_15	文件：258.85 Kbytes Page：10 Pages	Brushed Motor drive applications 文件：258.85 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFB7440G	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Silicon optimized for applications switching below <100KHz\n• Softer body-diode compared to previous silicon g;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFB7440PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
2.5 mΩ
ID @25°C max：
172 A
QG typ @10V：
90 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.2 V
VGS(th) max：
3.9 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
StrongIRFET™

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