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IRFB4620 | N-Channel MOSFET Transistor 文件：350.06 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IRFB4620 | 200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS; | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability ● Lead-Free Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Pow 文件：294.22 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：294.22 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：294.22 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- OPN：
IRFB4620PBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
TO220
- VDS max：
200 V
- RDS (on) @10V max：
72.5 mΩ
- ID @25°C max：
25 A
- QG typ @10V：
25 nC
- Polarity：
N
- VGS(th) min：
3 V
- VGS(th) max：
5 V
- VGS(th)：
4 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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原装现货假一罚十 |
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更新时间2025-10-13 16:23:00
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