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IRFB4510	文件：338.21 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB4510	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n•符合 RoHS\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB4510GPBF	文件：230.83 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：230.83 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4510PBF	文件：223.69 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：223.69 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4510PBF	文件：223.69 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：223.69 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4510PBF_15	文件：223.69 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：223.69 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFB4510PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
13.5 mΩ
ID @25°C max：
62 A
QG typ @10V：
58 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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