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IRFB4310Z	文件：838.67 Kbytes Page：9 Pages	Marking：IRFB4310Z；Package：TO-220；100 V N-Channel MOSFET Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalanche SOA EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Lead-Free Halogen-Free VDS=100V ID=120A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFB4310Z	文件：338.84 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability •Lead-Free Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeedPo	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZGPBF	文件：296.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4310ZPBF	文件：319.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IRFB4310Z
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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